性能提升20% 中芯国际第二代FinFET N+1已进入客户导入阶段

  近日，有投资者向中芯国际求证中芯关于下一代芯片量产的消息，中芯国际回复称，他们第二代FinFET N+1已经进入到客户导入阶段，有望于2020年底进行小批量试产。

  中芯国际于2019年实现国内最先进的14nm工艺制程量产，并已经为华为麒麟710A芯片等进行代工。

  此前，在今年6月份，中芯国际表示，14nm晶圆代工的产能已处于初步布局阶段，全球市场占有率还相对较低，但第一代14nm FinFET技术已经进入到量产阶段，而且技术处于国际领先水准，且具有一定性价比，目前已经与众多客户签订协议，展开合作，预计产能利用率可以稳定在较高的水平。

  此外，针对于下一代技术节点的开发，中芯国际表示第二代FinFET技术已经进入客户导入阶段，此前代技术相比，二代FinFET技术在性能上有20%的提升，功耗降低月7%，面积缩小63%。

  据悉，中芯国际14nm以及更先进工艺将会用于5G、人工智能、智能驾驶、高性能计算等领域中。

  据了解，中芯国际12英寸芯片SN1项目是中国内地第一条14nm及以下先进工艺生产线，其最大月产能可达到3.5万片晶圆，目前已经建成月产能6000片。