Ansys技术助力 长江存储推出128层3D NAND闪存

  近日，长江存储借助Ansys多物理场仿真解决方案，成功研发了128层QLC 3D NAND闪存，并且在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

  长江存储作为中国顶尖的存储器解决方案厂商，一直都专注于3D NAND闪存的设计和制造，这一次通过Ansys专业的3D电磁场分析，Ansys Workbench多物理双向耦合等技术支持，完成了信号完整性、电源完整性和热可靠分析，以确保产品能符合高性能与高可靠的设计指标。

  其实，优势存储单元的密度更高，从而要实现128层的3D堆栈，就要求封装设计人员必须能控制功率密度增加所导致的发热问题，而且还要确保满足信号频率、电源稳定等设计指标。

  长江存储利用Ansys多物理仿真平台，成功的实现了产品达到1.6GB/s的高速读写性能和1.33Tb的高容量设计指标。

  此次，长江存储与Ansys的合作，加深了双方在闪存芯片设计领域的技术积累，而且也帮助长江存储攻克了设计难关。

  目前，我国存储器领域与全球顶尖厂商还存储一些差距，但是，近年来我国大力发展半导体领域，很多企业研发出的新品已经接近到顶尖水准，这也为中国在之后科技领域的发展打下了坚实的基础。