采用GAA架构 三星宣布量产3nm芯片

  日前，三星电子宣布，其已开始用3nm工艺节点来制造GAA环栅晶体管芯片。

  据悉，为突破鳍式场效应晶体管的性能限制，三星选择了多桥通道FET技术来制造首批GAA晶体管芯片。通过下调电压水平来提升能源效率，同时增加驱动电流以提升性能。

  目前三星正在努力推动3nm GAA晶体管和相关半导体芯片在高性能、低功耗计算领域的采用，并且计划将相关优势推广到移动处理器。

  与使用更窄通道的纳米线GAA方案相比，三星专有技术选择了更宽的通道。该公司有能力调节 3nm GAA 纳米片的通道宽度，结合优化的功耗与性能表现，以满足客户的各种需求。

  此外GAA的设计灵活性，对于设计技术的协同优化也非常有利 —— 有助于增强功耗、性能和面积等方面的优势。

  与5nm相比，三星电子初代3nm GAA工艺可较5nm降低多达45%的功耗，同时提升23%的性能和减少16%的面积占用。

  展望未来，三星第二代3nm工艺更是可以将功耗降低多达50%，同时提升30%的性能和减少35%的面积占用。

  最后，随着制程节点不断缩小、以及各行业客户对于芯片性能需求的日渐提升，IC设计人员也面临着处理大量数据、以验证具有更多功能和紧密扩展的复杂产品的挑战。

  为满足这些需求，三星也在努力提供更稳定的设计环境，以帮助减少设计、验证和签核过程所需的时间，同时提升产品的可靠性。