三星电子计划在2025年开始量产基于GAA技术的2nm芯片

  6月20日消息，据外媒报道，三星电子计划在未来3年内制造出3nm级的GAA工艺，赶超台积电。

  据悉，GAA是新一代制程技术，改进了半导体晶体管结构，使栅极可以接触晶体管的四面，而不是目前的FinFET制程的三面。与FinFET过程相比，GAA结构可以更精确地控制电流。

  据TrendForce数据显示，2021年第四季度，台积电在全球代工市场的占有率为52.1%，远超三星电子的18.3%。三星电子为了赶超台积电，将把GAA技术应用到3nm制程上。

  三星电子在6月初试制了3nm级GAA晶圆，成为世界上第一个使用GAA技术的企业。三星希望通过技术飞跃，迅速缩小与台积电的差距。与5nm工艺相比，3nm工艺使半导体性能和电池效率分别提高了15%和30%，同时芯片面积减少了35%。

  三星电子计划在今年上半年将GAA技术应用于3nm制程，并于2023年在2代3nm制程中引入GAA技术，并于2025年在2nm制程中量产GAA技术。台积电的战略是在今年下半年利用稳定的FinFET工艺进军3nm半导体市场，而三星电子则押注于GAA技术。

  专家们认为，三星电子如果能确保以GAA为基础的3nm制程的稳定产量，就有可能成为代工市场的“游戏规则改变者”。预计台积电将从2nm芯片开始引入GAA工艺，并在2026年左右发布第一款产品。对三星电子来说，未来3年将是关键时期。

  三星电子最近表示，将在未来5年内对半导体等核心产业投资450万亿韩元。然而，三星电子在3nm工艺上遇到了障碍。与三星一样，台积电在提高3nm工艺的产量方面也遇到了困难。

  此外，台积电原本计划从7月份开始使用3nm技术为英特尔和苹果批量生产半导体，但在确保理想产量方面遇到了困难。据《电子时报》报道，台积电一直在努力确保其3nm工艺的理想产量，因此已数次修订其技术路线图。

  三星电子也面临着同样的情况，虽然3nm制程的试制已经在使用晶圆，但由于产出率低，一直推迟正式量产的公布。